Podłoże przewodzące 4H SiC o grubości 0,35 mm do badań i elektroniki energetycznej, 1 szt.(4in)

Marka: YILMVANY
Kolor: One Color
Liczba produktów: 1
Liczba jednostek: 1.0 sztuk

- Płytka z węglika krzemu (SiC) o grubości 0,35mm, idealna do badań i rozwoju w energoelektronice i optoelektronice.
- Charakteryzuje się szerszym pasmem wzbronionym niż krzem, co pozwala na pracę w temperaturach przekraczających 400°C, dzięki czemu nadaje się do zastosowań wysokotemperaturowych.
- Wyjątkowa siła pola przebicia około dziesięciokrotnie większa od krzemu, dzięki czemu płytka może wytrzymać wyższe napięcia, co zwiększa niezawodność urządzenia.
- Doskonała przewodność cieplna skutecznie rozprasza ciepło, zapewniając normalną pracę i lepszą wydajność urządzenia podczas zastosowań o wysokiej częstotliwości.
- Prędkość dryfu nasyconych elektronów jest dwukrotnie większa niż w przypadku krzemu, co ułatwia zwiększenie częstotliwości roboczych i umożliwia miniaturyzację urządzeń elektronicznych.